Tính chất của cacbua silic

Silic cacbua có độ ổn định nhiệt tuyệt vời, chống oxy hóa mạnh và độ chính xác kích thước sản phẩm cao. Vì silicon nitride là hợp chất cộng hóa trị có độ bền liên kết cao và có thể tạo thành màng bảo vệ oxit trong không khí, nó cũng có tính ổn định hóa học tốt, không bị oxy hóa dưới 1200 ° C, màng bảo vệ được hình thành ở 1200 ~ 1600 ° C để ngăn chặn quá trình oxy hóa tiếp theo và không bị xâm nhập bởi nhiều loại kim loại nóng chảy hoặc hợp kim như nhôm, chì, thiếc, bạc, đồng thau, niken hoặc ăn mòn, nhưng có thể bị ăn mòn bởi kim loại nóng chảy như magiê, hợp kim niken-crom, thép không gỉ, v.v. được đặc trưng bởi sự thiêu kết dễ dàng, điểm nóng chảy thấp, độ khuếch tán cao, diện tích bề mặt riêng lớn và cơ chế bôi trơn là hình thành một chất bôi trơn dễ bị cắt trên bề mặt ma sát. Màng lọc không chỉ có thể làm giảm ma sát mà còn sửa chữa bề mặt ma sát. Tính năng này có thể cải thiện hiệu quả ma sát và tuổi thọ của vòng bi gốm Si3N4 trong điều kiện khắc nghiệt và sử dụng chức năng tự sửa chữa để giảm độ khó khi vận hành và bảo trì. Không cần thiết phải tháo rời và sửa chữa ổ trục, và giảm chi phí kinh tế. Theo dữ liệu liên quan, sức căng bề mặt σs / l lớn hơn σs / g, do đó giao diện giữa chúng Góc làm ướt θ> 90 °. Giao diện giữa chất lỏng nhôm và vật liệu gốm flake không ướt. Do đó, trong ranh giới giữa chất lỏng nhôm và giao diện gốm, bề mặt của vật liệu gốm tương đối nhỏ tiếp xúc với hợp kim nhôm-silicon nóng chảy, do đó khả năng chống ăn mòn của chất lỏng chống nhôm được tăng cường đáng kể. Khả năng chống ăn mòn của vật liệu R-SiC và Si3N4-SiC là tương tự nhau, nhưng giá thành của vật liệu Si3N4-SiC tương đối thấp. Nó đã được sử dụng ở Hoa Kỳ, Nhật Bản, Đức và các nước khác trong nhiều năm. Một số công ty nhôm điện phân ở Trung Quốc cũng đang sử dụng silicon nitride. Hiệu quả của việc kết hợp các viên gạch silicon carbide trên các bức tường bên của tế bào điện phân là tốt. Tốc độ ăn mòn của vật liệu gốm R-SiC và Si3N4-SiC trong chu trình nhiệt của hợp kim Al-Si phù hợp với mối quan hệ logarit suy giảm và có độ ổn định hóa học tốt. R-SiC và Si3N4-SiC không phản ứng với silicon nhôm, không có pha mới được hình thành trên bề mặt và cả hai không thấm vào silicon nhôm nóng chảy và diện tích tiếp xúc với dung dịch silicon nhôm tương đối nhỏ.

https://www.hshightec.com/