Silic cacbua (SiC) hiện là vật liệu bán dẫn băng rộng trưởng thành nhất. Các quốc gia trên thế giới rất coi trọng nghiên cứu về SiC và đã đầu tư rất nhiều nguồn nhân lực và vật chất để phát triển tích cực. Hoa Kỳ, Châu Âu, Nhật Bản, vv không chỉ phát triển các yêu cầu tương ứng ở cấp quốc gia. Kế hoạch nghiên cứu, và một số gã khổng lồ điện tử quốc tế cũng đã đầu tư rất nhiều vào việc phát triển các thiết bị bán dẫn silicon carbide. So với silicon thông thường, các thành phần sử dụng silicon carbide có các đặc điểm sau.
1. Thiết bị silicon carbide đặc trưng điện áp cao gấp 10 lần điện áp chịu được của cùng một thiết bị silicon và ống Schottky silicon carbide có thể chịu được điện áp lên đến 2400V. FET silicon carbide có thể chịu được hàng chục ngàn volt và điện trở ở trạng thái không lớn.
2, đặc tính tần số cao
3. Đặc tính nhiệt độ cao Ngày nay, vật liệu Si gần với giới hạn hiệu suất lý thuyết. Các thiết bị nguồn SiC đã được coi là "thiết bị lý tưởng" do điện áp chịu được cao, tổn thất thấp, hiệu quả cao và các đặc tính khác. Tuy nhiên, so với các thiết bị vật liệu Si trước đây, sự cân bằng giữa hiệu suất và giá thành của các thiết bị điện SiC và nhu cầu của chúng đối với các quy trình cao sẽ trở thành chìa khóa cho sự phổ biến thực sự của các thiết bị điện SiC. Hiện nay, các thiết bị silicon carbide năng lượng thấp đã bước vào giai đoạn sản xuất thiết bị thực tế từ phòng thí nghiệm. Hiện tại, giá của các tấm silicon carbide vẫn còn cao, và có nhiều khiếm khuyết. https://www.hshightec.com/
