Sep 26, 2019 Để lại lời nhắn

Sử dụng vật liệu đơn tinh thể silicon carbide

Xét về sự trưởng thành về mặt kỹ thuật trong lĩnh vực vật liệu bán dẫn bandgap rộng, silicon carbide là cao nhất trong họ vật liệu này và là cốt lõi của chất bán dẫn bandgap rộng. Vật liệu SiC là một hợp chất bán dẫn nhóm IV-IV có khoảng cách dải rộng (Ví dụ: 3,2 eV), điện trường phân hủy cao (4 x 106 V / cm) và độ dẫn nhiệt cao (4,9 W / cm.k) . Về mặt cấu trúc, vật liệu SiC thuộc cấu trúc đóng gói chặt chẽ của các nguyên tử carbon silic, có thể được coi là sự sắp xếp chặt chẽ của các nguyên tử silicon và các nguyên tử carbon chiếm chỗ trống tứ diện; nó cũng có thể được coi là một vị trí trống tứ diện trong đó các nguyên tử carbon được đóng gói chặt chẽ và silicon chiếm carbon. Đối với cấu trúc đóng gói silicon carbide, các dạng tinh thể khác nhau được tạo ra bởi sự khác biệt trong cách đóng gói đơn hướng, và khoảng 200 loại đã được tìm thấy. Các ứng dụng phổ biến nhất hiện nay là các dạng tinh thể 4H và 6H. 4H-SiC đặc biệt thích hợp để sản xuất các thiết bị tần số cao, nhiệt độ cao và năng lượng cao trong lĩnh vực vi điện tử; 6H-SiC đặc biệt phù hợp với lĩnh vực quang điện tử để đạt được hiển thị đầy đủ màu sắc.

Với sự phát triển của công nghệ SiC, các thiết bị và mạch điện tử của nó sẽ đặt nền tảng vững chắc cho hệ thống để giải quyết các thách thức trên. Do đó, sự phát triển của vật liệu SiC sẽ ảnh hưởng trực tiếp đến sự phát triển của công nghệ khoảng cách dải rộng.

Các thiết bị và mạch SiC có hiệu suất vượt trội và triển vọng ứng dụng rộng rãi, vì vậy chúng được ngành công nghiệp đánh giá cao và về cơ bản đã hình thành một tình huống ba hướng ở Hoa Kỳ, Châu Âu và Nhật Bản. Hiện tại, các công ty quốc tế nhận ra việc thương mại hóa các tấm đánh bóng đơn tinh thể silicon carbide bao gồm Cree, Bandgap, DowDcorning, II-VI, ERICinsic tại Mỹ; Nippon và Sixon tại Nhật Bản; và Ommetic ở Phần Lan; Đức Công ty SiCrystal, v.v ... Trong số đó, Cree và SiCrystal có thị phần hơn 85%. Trong số tất cả các nhà sản xuất chuẩn bị silicon carbide, Cree là mạnh nhất ở Hoa Kỳ, và trình độ kỹ thuật của vật liệu đơn tinh thể silicon carbide có thể đại diện cho cấp độ quốc tế. Các chuyên gia dự đoán rằng Cree cũng sẽ dẫn đầu trong thị trường chất nền silicon carbide trong vài năm tới. . https://www.hshightec.com/


Gửi yêu cầu

whatsapp

Điện thoại

VK

Yêu cầu thông tin